一、怎么看BGA芯片是不是重新植球的？
翻新的BGA跟新的BGA用看球是看不出来的。现在BGA重新植球的技术已经比较成熟了。翻新工厂在重新植球的时候。基本可以避免锡球不亮。不圆。有残留等技术难题了。（当然烂一点翻新工厂还是没有解决）。
那么我们要看其他的地方
1:看绿油。BGA重新植球之前。要将残留的锡拖干净。在加热方式拖锡的时候。比较容易造成绿油不良。例如有些绿油剥离。
2:因为加热，清洗等原因。还会造成一部分BGA上面的字体不清晰。正常出厂的新BGA用文字油墨印刷。字体清楚。（现在有翻新人员专门做文字翻新。将原来的不清晰的字体打磨掉，重新丝印.也有重新用激光打印文字的）。
3:翻新的BGA看外表比较亚光。新的BGA外表比较光亮一点。
4:说句废话。最好使用前用治具测试一下。避免不良品混入产线。
二、电源芯片的漏极极限电流是怎么确定的 比如TK5401
1、漏极极限电流受到最高结温的限制，在特定的芯片中，晶片热阻是固定的，也就决定了漏极极限电流；
2、芯片在技术手册中一般会给出极限电流，这个电流是在完全导通、外部散热良好和25度的环境温度下给出的。
3、实际应用中，大多情况下你不能用到这个电流值，因为实际应用很难满足散热良好和环境温度不超过25度的条件；
4、有时候你也可以设计电路时远远超过这个电流，比如你只是在几秒的时间内给出几个微秒级的脉冲。
综上所述，对于极限电流的理解和应用，本质上是基于对散热平衡的计算和避免达到最高结温。
三、请问IC FLASH、SDRAM、DRAM、EEPROM分别是什么？
IC:(integrated circuit)集成电路，通过特殊工艺在单一硅片上集成若干晶体管，实现需若干分立元件才能实现的功能。 EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它译作电擦电写只读存储器，也有书本译作“电可擦可编程只读存储器”。特点是可掉电存储数据，缺点是存储速度较慢，且早期的EEPROM需高压操作，现在的EEPROM一般片内集成电压泵，读写速度小于250纳秒，使用很方便。 FLASH：一般译为“闪存”，你可以理解为是EEPROM的一种，但存储速度较快，制作工艺优良，U盘的核心元件就是它。 SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory）,同步动态随机存取存储器,百度百科上这样描述：“同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写 ”。 DRAM：（Dynamic Random Access Memory），动态随机存储器。 不知道你的模电、数电学得怎样，以及有没有实际接触过电子元器件，你问这些问题好像你对电子一无所知似的，所以我没法进一步跟你解释SDRAM和DRAM，以及他们的区别和优缺点，顺便问一句，你是做电子元器件销售的吗？
四、美国有没有用芯片制裁俄罗斯
有
在俄罗斯吞并克里米亚之后，美国发起了对俄罗斯的禁运
禁止出口航天和其他级别的计算机芯片和元器件
结果毛子只好找中国采购了大批芯片
五、提出"信息高速公路"的美国总统是?
美国前总统克林顿执政时期,提出了建设信息高速公路计划
1992年，当时的参议员、曾任美国副总统阿尔·戈尔提出美国信息高速公路法案。1993年9月，美国政府宣布实施一项新的高科技计划――“国家信息基础设施”（National Information Infrastructure，简称NII），旨在以因特网为雏形，兴建信息时代的高速公路――“信息高速公路”，使所有的美国人方便地共享海量的信息资源。