一、28纳米国产光刻机能生产几纳米芯片？
28nmSSA/800-10W采用ArF光源，使用的套刻精度在1.9nm左右，多次曝光可以实现11nm制程工艺，如果改用套刻精度优于1.7nm的华卓精科工作台通过多重曝光可实现7nm制程工艺。
28nm的制程光刻机是十三五计划项目之一，其时间节点就是要求在2020年底实现。结合上述消息看的话，基本上这台光刻机是稳了，估计2021年最晚2022年可以量产。
二、7纳米芯片需要多少纳米光刻机？
要生产7纳米芯片，通常需要使用多台纳米光刻机。具体需要多少台取决于生产规模和工艺要求。光刻机是制造芯片的关键设备，用于将电路图案投射到硅片上。由于7纳米工艺要求更高的精度和分辨率，可能需要更多的光刻机来满足生产需求。此外，光刻机的性能和产能也会影响所需数量。因此，确切的数字取决于具体情况，可能需要数十台或更多的纳米光刻机来生产7纳米芯片。
三、90纳米光刻机能生产多少纳米芯片？
90纳米光刻机能生产90纳米的芯片，其实90纳米的芯片能满足大部分设备的需要，比如汽车飞机轮船，甚至导弹上的芯片也大于90纳米，现在国际上最先进的光刻机是5纳米，5纳米的芯片主要用在高档手机上，因为高级手机要满足小型化及处理信息更快捷的需求。
四、22纳米光刻机能做多少纳米芯片？
22纳米光刻机能够制作22纳米的芯片。1. 光刻机是半导体芯片制造过程中的重要设备，用于将电路图投射到芯片上。2. 22纳米光刻机的制造工艺和技术能够在芯片上绘制线路间距最小为22纳米的电路图，因此能够制造出最小为22纳米的芯片。3. 随着技术的不断发展，光刻机工艺不断进步，制作出最小22纳米的芯片已经成为可能，预计未来还会出现更小的芯片。
五、14纳米芯片要用多少纳米光刻机？
成熟的28纳米光刻机之后，再配合芯片制造工艺的改进，再经过多次曝光之后是可以用于生产14纳米光刻机的，甚至有可能用于生产7nm纳米芯片。
EUV光刻机可以生产14nm 7nm 5nm甚至3nm芯片，台积电刚开始的14nm也是用DUV 38 nm光刻机生产的，所以38nm光刻机应该就可以了
六、国产光刻机最高多少纳米？
22纳米
前不久，中国北斗三号芯片成功突破了22纳米的限制，而上海微电子技术也再次获得突破，成功研发出了22nm的光刻机。从技术角度来讲，虽然我国获得的突破和外国技术相比，还有一定差距，但从整体进程来看，我国半导体行业和外国的差距正在慢慢减小。
七、国产芯片最高多少纳米？
中国最高端的芯片是14纳米的芯片。14nm是当下应用最广泛、最具市场价值的制程工艺，在AI芯片、高端处理器以及汽车等领域都具有很大的发展潜力，其中主要应用包含高端消费电子产品、高速运算、低阶功率放大器、基频、AI、新能源汽车等。
八、5纳米的芯片要用多少纳米光刻机？
小于5纳米的光刻机。
光刻机技术几乎被荷兰ASML所垄断。目前全球最先进的光刻机已经可以实现5nm的工艺制程了，它是荷兰ASML公司的极紫外光刻机（EUV），是目前全球最顶尖的光刻机设备。
中国目前最先进的光刻机应该是22nm的，它的关键部件可以实现国产化了。但中国已经可以实现14nm芯片的量产了，这是中芯国际取得的一个重大成绩。
九、14纳米光刻机能生产几纳米芯片？
可以生产22纳米以下制程的芯片。
14纳米光刻机可以生产22纳米以下制程的芯片。实际上并不是14纳米光刻机，而应该叫做13.5纳米euv光刻机。该制程光刻机是专门用于生产22纳米以下高制程芯片的，并且随着duv光刻机制作14纳米芯片工艺成熟，13.5纳米euv光刻机通常会用于14纳米以下制程芯片，比如12纳米、10纳米、8纳米、7纳米、5纳米，最高目前可以到4纳米。
十、芯片先锋光刻机能达多少纳米？
35纳米。
先锋微技术拥有的光刻机主要用于模拟芯片的制造，采用的是三十五纳米的工艺，可以制造光电传感器和CMOS传感器等，主要应用于汽车、电力、工业等领域。