一、c2655是什么三极管
C2566C2655是NPN极性三极管。 脚位排列：ECB 功率：0.9W 电流：2A 电压：50V。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
二、三极管的特性有哪些
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β--称为直流放大倍数，
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
三、元件的封装是？
元件封装是元件在电路板是存在的形势，Footprint那栏是元件封装栏，要自己输入，比如电阻可以用AXIAL0.3等等
protel99常用元件的电气图形符号和封装形式
1. 标准电阻：RES1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0
两端口可变电阻：RES3、RES4；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0
三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR5
2.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPVAR
封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0.
3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管）
封装：DIODE0.4和DIODE 0.7;（上面已经说了，注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K）
4.三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）
以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形，我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！
5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N沟道增强型管）MOSFETP（P沟道增强型管）
引脚封装形式与三极管同。
6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4（可变电感）
8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。
9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。
10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列，
不如40管脚的单片机封装为DIP40。
11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。
12、晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1
13、发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4）
14、发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自己做！
15、拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！
16、按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。
17、变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。
最后在说说PROTEL 99 的原理图库吧！
常用元器件都在protel DOS schematic Libraries.ddb里
此外还有protel DOS schematic 4000 CMOS (4000序列元件)
protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A转换元件)
protel DOS schematic Comparator （比较器，如LM139之类）
protel DOS schematic intel (Intel 的处理器和接口芯片之类)
你也可以新建一个PCB，然后在library下找到对应的封装名，在生成PCB之前所有元件都要封装，而且元件存号不能重复。